FOTO KONDUKTIVITAS POLI (N-Vinilkarbazol) SETELAH DIDOPING H2SO4 DAN HCL

Aminatun, Ir., M.Si. (2006) FOTO KONDUKTIVITAS POLI (N-Vinilkarbazol) SETELAH DIDOPING H2SO4 DAN HCL. Universitas Airlangga, Surabaya. (Unpublished)

[img]
Preview
Text (ABSTRAK)
gdlhub-gdl-res-2008-aminatun-6240-kkclp1-k.pdf

Download (444kB) | Preview
[img] Text (FULLTEXT)
gdlhub-gdl-res-2008-aminatun-6240-lp11507.pdf
Restricted to Registered users only

Download (2MB) | Request a copy
Official URL: http://lib.unair.ac.id

Abstract

Penelitian ini dilakukan untuk menjawab permasalahan bagaimana pengaruh doping H2SO4 dan HCI terhadap struktur kristal, ragam vibrasi dan nilai fotokonduktivitas PolI (N- Vinil Karbazol) yang biasa disingkat PVK. Tujuan Penelitian ini adalah mengetahui pengaruh doping H2SO4 dan HCI terhadap struktur kristal, ragam vibrasi dan nilai fotokonduktivitas PVK. Metode penelitian yang pertama adalah membuat sampel film PVK doping H2SO4 dan HCI masing-masing dengan konsentrasi 10% , 20%, 25% dan 30% terhadap mol PVK. Melarutkan 0,5g PVK dalam aquades ditambah H2SO4 (4M) masing-masing dengan variasi konsentrasi tersebut di atas. Campuran tersebut diaduk dengan pengaduk magnetik sambil dipanaskan sampai dihasilkan larutan yang berwarna bening, kental dan lengket. Proses kedua adalah pelapisan larutan PVK pada substrat tembaga dilakukan dengan menggunakan alat yang disebut spin-coater. Substrat ditetesi larutan PVK sampai merata, lalu diletakkan tepat di pusat putaran landasan spin-coater, kemudian diputar dengan kecepatan 750 rpm selama 10 menit, maka jadilah sampel lapisan tipis PVK doping H2SO4. Dengan cara yang sama dapat dilakukan untuk membuat sampel lapisan tipis PVK doping HCI (8M) dengan berbagai konsentrasi 10%, 20% , 25% dan 30% terhadap mol PVK. Selanjutnya lapisan tipis yang terbentuk dikarakterisasi dengan menggunakan x-Ray Diffractometer (XRD) dan Infrared Spectrophotometer (IR) untuk mengetahui pengaruh doping H2SO4 dan HCI, kemudian dilanjutkan dengan pengukuran arusfoto untuk mendapatkan fotokonduktivitasnya. Kehadiran doping H2SO4 dan HCI tidak mengubah kedudukan puncak PVK (tetap berada di 20 = 22,8° atau bergeser 0,1° dan 0,5°). Puncak difraksi H2SO4 dan HCI tidak dapat teridentifikasi karena data referensi XRD untuk keduanya tidak ditemukan. Diduga kehadiran doping keduanya menimbulkan cacat intertisi. Perbedaan konsentrasi doping keduanya dapat dikatakan tidak mempengaruhi kristalinitas PVK secara signifikan. Hal ini ditunjukkan dengan besarnya intensitas relatif antara PVK murni dan PVK doping H2SO4 dan HCI tidak banyak mengalami perubahan. Jika kita mengamati hasil spektrum IR dan hasil identifikasi spektrum hasil penelitian terhadap data referensi maka nampak bahwa kehadiran doping H2SO4 menggeser bilangan gelombang dari beberapa ragam vibrasi yang muncul, bahkan beberapa ragam vibrasi seperti CH streching, CH3 deformasi dan CN streching tidak muncul. Sedangkan kehadiran doping HCI tidak mempengaruhi kemunculan ragam vibrasi yang ada. Hampir seluruh ragam vibrasi yang ada pada PVK murni juga muncul pada PVK doping HCl terkecuali ragam CH streching. Jika suatu bahan fotokonduktif dikenai cahaya foton maka akan menghasilkan pembawa muatan yang diwujudkan dengan adanya tambahan arus yang mengalir pada elektroda apabila bahan tersebut dikenai medan listrik. Jika pada bahan tersebut diberikan doping (H2SO4 dan HCl) yang akan menyebakan adanya protonasi sehingga menghasilkan pembawa muatan bipolaron maka jumlah pembawa muatan akan meningkat karena sumbangan pembawa muatan dari dopan, dengan demikian arus yang mengalir akan meningkat pula. Jika arusfoto meningkat maka fotokonduktivitas bahan tersebut akan meningkat pula. Pada penelitian sebelumnya (Aminatun dkk, 2000) fotokonduktivitas PVK murni adalah 6,2 x 10t0 m-1. Sedangkan dari hasil penelitian ini (seperti ditunjukkan pada Tabel 5.4) PVK + H2SO4 (30% mol PVK) menghasilkan fotokonduktivitas 2 x 105 01m-1 dan PVK + HCI (30% mol PVK) menghasilkan fotokonduktivitas 4,7 x 105 m-1 , ini merupakan nilai yang sangat tinggi, 105 kali PVK murni. Jika dibandingkan dengan hasil penelitian (Safoula el. al , 1996), dengan memberikan perlakuan annealing 470K di bawah tekanan iodin diperoleh nilai fotokonduktivitas sebesar 1 x 106 berarti hasil penelitian ini lebih besar 10 kalinya. Berdasarkan hasil penelitian ini dapat disimpulkan bahwa (1) kehadiran doping H2SO4 dan HCl menyebabkan cacat intertisi pada struktur kristal PVK. Beberapa ragam vibrasi PVK tidak muncul pada sampel doping H2SO4 dan HCl disebabkan karena sampel masih mengandung H20. (2) kehadiran doping H2SO4 dan HCI meningkatkan nilai fotokonduktivitas PVK. PVK + H2SO4 (30%mol PVK) dan PVK + HCl (30%mol PVK) menghasilkan fotokonduktivitas 105 kali dibandingkan fotokonduktivitas PVK murni. Semakin tinggi persentase mol doping maka semakin tinggi pula nilai fotokonduktivitas yang dihasilkan. (3) Doping HCl menghasilkan fotokonduktivitas yang lebih tinggi dibandingkan dengan doping H2SO4

Item Type: Other
Additional Information: KKC KK LP 115/07 Ami f
Uncontrolled Keywords: HCL
Subjects: Q Science > QD Chemistry > QD1-65 General Including alchemy
Q Science > QD Chemistry > QD71-142 Analytical chemistry
Divisions: 08. Fakultas Sains dan Teknologi > Program Studi Matematika dan IPA (S3)
Unair Research > Exacta
Creators:
CreatorsEmail
Aminatun, Ir., M.Si.UNSPECIFIED
Depositing User: Nn Elvi Mei Tinasari
Date Deposited: 04 Oct 2016 04:16
Last Modified: 04 Oct 2016 04:19
URI: http://repository.unair.ac.id/id/eprint/42683
Sosial Share:

Actions (login required)

View Item View Item