FABRIKASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS TIPE-P DENGAN METODE SPUTTERING

ITA KRISTIANA, 089911967 (2004) FABRIKASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS TIPE-P DENGAN METODE SPUTTERING. Skripsi thesis, Universitas Airlangga.

[img]
Preview
Text (ABSTRAK)
KK MPF 17-04 KRI K.pdf

Download (276kB) | Preview
Official URL: http://lib.unair.ac.id

Abstract

F ABRIKASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS TIPE-P DENGAN METODE SPUTTERING. Telah dilakukan penelitian untuk membuat lapisan tipis tipe-P dengan variasi waktu, tekanan, dan jurnlah pin hole hasil DC Sputtering. Variasi tekanan dimulai dari 8 x 10-2, 9 X 10-2, 10-1 dan 1,5 x 10-1 torr, variasi waktu dimulai dari 30, 45, 60 dan 70 menit, dan variasi jurnlah pin hole dimulai dengan 2, 4, 5 dan 6. HasH penelitian menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnOAI dan lapisan tipis (a-SiH:B) yang terbentuk mempunyai tipe-P dari pengujian tipe konduktivitas dengan four point probe. Pengaruh pengotor boron (B) menunjukkan nilai resistivitas sebesar 0,671 x 10 Ocm dengan pin hole 4, pada variasi tekanan dengan tekanan 9 x 10-2 torr sebesar 0,961 x 10 Ocm dan pada variasi waktu dengan waktu 60 menit sebesar 0,961 x 10 Ocm. Nilai transmitansi untuk semua sampel hampir sarna pada panjang gelombang 900 nrn. Analisa SEM-EDS menunjukkan bahwa komposisi lapisan tipis si = 39,77 %, Al = 1,24 %, 0 = 48,88 % dan Zn 10,12 %.

Item Type: Thesis (Skripsi)
Additional Information: FULLTEXT TIDAK TERSEDIA
Subjects: Q Science > QC Physics > QC170-197 Atomic physics Constitution and properties of matter Including molecular physics, relativity, quantum theory, and solid state physics
Divisions: 08. Fakultas Sains dan Teknologi > Fisika
Creators:
CreatorsEmail
ITA KRISTIANA, 089911967UNSPECIFIED
Contributors:
ContributionNameEmail
ContributorDJONI IZAK R., Drs., M.Si.UNSPECIFIED
Depositing User: mrs hoeroestijati beta
Date Deposited: 30 Nov 2016 22:04
Last Modified: 19 Jun 2017 20:05
URI: http://repository.unair.ac.id/id/eprint/47793
Sosial Share:

Actions (login required)

View Item View Item