Intan Masruroh S (2015) Analisis Ab-Initio Struktur Dan Sifat Elektrik Semikonduktor Amorf Silikon-Germanium. Skripsi thesis, UNIVERSITAS AIRLANGGA.
![[img]](https://repository.unair.ac.id/style/images/fileicons/text.png) |
Text (HALAMAN JUDUL)
1. HALAMAN JUDUL.pdf Download (345kB) |
|
Text (ABSTRAK)
2. Abstrak.pdf Download (256kB) |
|
Text (DAFTAR ISI)
3. DAFTAR ISI.pdf Download (235kB) |
|
Text (BAB I)
4. BAB I PENDAHULUAN.pdf Download (234kB) |
|
Text (BAB II)
5. BAB II TINJAUAN PUSTAKA.pdf Restricted to Registered users only until 22 June 2023. Download (665kB) | Request a copy |
|
Text (BAB III)
6. BAB III METODE PENELITIAN.pdf Restricted to Registered users only until 22 June 2023. Download (496kB) | Request a copy |
|
Text (BAB IV)
7. BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN.pdf Restricted to Registered users only until 22 June 2023. Download (694kB) | Request a copy |
|
Text (BAB V)
8. BAB V KESIMPULAN DAN SARAN.pdf Restricted to Registered users only until 22 June 2023. Download (146kB) | Request a copy |
|
Text (DAFTAR PUSTAKA)
9. DAFTAR PUSTAKA.pdf Download (225kB) |
|
Text (LAMPIRAN)
10. Lampiran.pdf Restricted to Registered users only until 22 June 2023. Download (215kB) | Request a copy |
Abstract
Variasi semikonduktor berbasis silikon dengan penambahan doping terus dilakukan untuk mendapatkan hasil konduktivitas semikonduktor yang lebih baik. Penelitian ini bertujuan untuk membentuk struktur dan menghitung sifat elektrik semikonduktor amorf paduan silikon germanium. Penelitian dilakukan secara komputasional dengan menggunakan program SIESTA (Spanish Initiative for Electronic Simulation with Thousands of Atom) dan Atomeye. Perhitungan menggunakan 80 atom dengan variasi yang digunakan adalah Si90Ge10 dan Si80Ge20. Analisis struktur menggunakan atomeye menunjukan hasil ikatan koordinasi antar atom sedangkan analisis sifat elektrik didapatkan dari nilai rapat keadaan dan bandstuktur dari kedua variasi. Hasil visualisasi struktur menunjukan bahwa variasi Si80Ge20 menunjukan jumlah atom jumlah yang tidak berikatan lebih banyak dibandingkan Si90Ge10. Hasil analisis nilai bandgap dari rapat keadaan variasi Si80Ge20 adalah 0.305 eV dan untuk variasi Si90Ge10 nilai bandgap rapat keadaanya adalah 0.68 eV. Untuk hasil analisis struktur pita dari variasi Si80Ge20 adalah 0.110 eV dan variasi Si80Ge20 adalah 0.095 eV.
| Item Type: | Thesis (Skripsi) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Additional Information: | KKC KK MPF.38/15 Int a | |||||||||
| Uncontrolled Keywords: | ab-initio, siesta, semikonduktor, silikon, germanium | |||||||||
| Subjects: | Q Science > QC Physics > QC1-999 Physics | |||||||||
| Divisions: | 08. Fakultas Sains dan Teknologi > Fisika | |||||||||
| Creators: |
|
|||||||||
| Contributors: |
|
|||||||||
| Depositing User: | Dwi Prihastuti | |||||||||
| Date Deposited: | 31 Aug 2015 12:00 | |||||||||
| Last Modified: | 22 Jun 2020 04:56 | |||||||||
| URI: | http://repository.unair.ac.id/id/eprint/28017 | |||||||||
| Sosial Share: | ||||||||||
Actions (login required)
 |
View Item |