ITA KRISTIANA, 089911967
(2004)
FABRIKASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS TIPE-P
DENGAN METODE SPUTTERING.
Skripsi thesis, Universitas Airlangga.
Abstract
F ABRIKASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS TIPE-P DENGAN METODE SPUTTERING. Telah dilakukan penelitian untuk membuat lapisan tipis tipe-P dengan variasi waktu, tekanan, dan jurnlah pin hole hasil DC Sputtering. Variasi tekanan dimulai dari 8 x 10-2, 9 X 10-2, 10-1 dan 1,5 x 10-1 torr, variasi waktu dimulai dari 30, 45, 60 dan 70 menit, dan variasi jurnlah pin hole dimulai dengan 2, 4, 5 dan 6. HasH penelitian menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnOAI dan lapisan tipis (a-SiH:B) yang terbentuk mempunyai tipe-P dari pengujian tipe konduktivitas dengan four point probe. Pengaruh pengotor boron
(B) menunjukkan nilai resistivitas sebesar 0,671 x 10 Ocm dengan pin hole 4, pada variasi tekanan dengan tekanan 9 x 10-2 torr sebesar 0,961 x 10 Ocm dan pada variasi waktu dengan waktu 60 menit sebesar 0,961 x 10 Ocm. Nilai transmitansi untuk semua sampel hampir sarna pada panjang gelombang 900 nrn.
Analisa SEM-EDS menunjukkan bahwa komposisi lapisan tipis si = 39,77 %, Al = 1,24 %, 0 = 48,88 % dan Zn 10,12 %.
Actions (login required)
 |
View Item |
